型号:SI6933DQ-T1-GE3 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | 描述:MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | - |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 45 毫欧 @ 3.5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 30nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-TSSOP |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市晶美隆科技有限公司 | 吴小姐086-0755-82865294/82517859 |
深圳市春东电子有限公司 | 朱先生/王小姐0755-82563615/82563213 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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通孔电阻器
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固定式
Cooper Bussmann
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
- RNCF1206DTE6K49
芯片电阻 - 表面安装
Stackpole Electronics Inc
1206(3216 公制)
RES 6.49K OHM 1/8W 0.5% 1206
- MDM-51PH005P
D-Sub
ITT Cannon
MICRO 51POS PIN 30"
- SI6928DQ-T1-E3
FET - 阵列
Vishay Siliconix
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
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FET - 单
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6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
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- RNF18FTD100K
通孔电阻器
Stackpole Electronics Inc
轴向
RES MF 1/8W 100K OHM 1% AXIAL
- SI4425DDY-T1-GE3
FET - 单
Vishay Siliconix
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
- SD53-470-R
固定式
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INDUCTOR SHIELDED 47.0UH SMD
- RNCF1206DTE82K0
芯片电阻 - 表面安装
Stackpole Electronics Inc
1206(3216 公制)
RES 82K OHM 1/8W 0.5% 1206
- MDM-51PH006A
D-Sub
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MICRO-D RCPT 51POS PIN 36" WIRE
- SI6928DQ-T1-GE3
FET - 阵列
Vishay Siliconix
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
MOSFET DL N-CH 30V 4A 8-TSSOP
- SI3434DV-T1-E3
FET - 单
Vishay Siliconix
6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
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通孔电阻器
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轴向
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Stackpole Electronics Inc
1206(3216 公制)
RES 8.06K OHM 1/8W 0.5% 1206
- MDM-51PH006P
D-Sub
ITT Cannon
MICRO-D RCPT 51POS PIN 36" WIRE
- SI3440DV-T1-E3
FET - 单
Vishay Siliconix
6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
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1206(3216 公制)
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8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
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- SI3443BDV-T1-GE3
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- MDM-51PH023L
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84-LCC(J 形引线)
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